Graphite ea poleiti ea terei ea SiC ceramic e nang le CVD SiC coating bakeng sa lisebelisoa

Li-ceramic tsa silicon carbide ha li sebelisoe feela mohatong o mosesaane oa ho beha filimi, joalo ka epitaxy kapa MOCVD, kapa ts'ebetsong ea wafer, moo literei tsa wafer bakeng sa MOCVD li qalang ho kenngoa tikolohong ea ho beha, 'me ka hona li hanela mocheso le mafome haholo. Li-carrier tse koahetsoeng ka SiC le tsona li na le conductivity e phahameng ea mocheso le thepa e ntle ea kabo ea mocheso.

Lijari tsa wafer tsa Pure Chemical Vapor Deposition Silicon Carbide (CVD SiC) bakeng sa ts'ebetso ea Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) e nang le mocheso o phahameng.

Li-wafer tsa CVD SiC tse hloekileng li phahametse haholo li-wafer tsa setso tse sebelisoang ts'ebetsong ena, tse nang le graphite 'me li koahetsoe ka lera la CVD SiC. Li-wafer tsena tse koahetsoeng tse thehiloeng ho graphite li ke ke tsa mamella mocheso o phahameng (1100 ho isa ho 1200 degrees Celsius) tse hlokahalang bakeng sa ho beoa ha GaN ha led e putsoa le e tšoeu e khanyang haholo kajeno. Lithempereichara tse phahameng li etsa hore sekoahelo se hlahise masoba a manyane ao lik'hemik'hale tsa ts'ebetso li senyang graphite ka tlase ho 'ona. Likaroloana tsa graphite lia taboha 'me li silafatsa GaN, e leng se etsang hore sekepe sa wafer se koahetsoeng se nkeloe sebaka.

CVD SiC e na le bohloeki ba 99.999% kapa ho feta mme e na le phallo e phahameng ea mocheso le ho hanyetsa ho thothomela ha mocheso. Ka hona, e ka mamella mocheso o phahameng le tikoloho e thata ea tlhahiso ea LED e khanyang haholo. Ke thepa e tiileng ea monolithic e fihlelang bongata ba khopolo-taba, e hlahisang likaroloana tse fokolang, 'me e bontša ho hanyetsa ho hoholo ha mafome le khoholeho ea mobu. Thepa e ka fetola ho se bonahale le phallo ntle le ho kenya litšila tsa tšepe. Lijari tsa wafer hangata li bophara ba lisenthimithara tse 17 'me li ka tšoara li-wafer tse fihlang ho tse 40 tsa lisenthimithara tse 2-4.