Ha ho bapisoa le lisebelisoa tsa silicon carbide, lisebelisoa tsa matla tsa gallium nitride li tla ba le melemo e mengata maemong ao ho hlokahalang bokhoni, maqhubu, molumo le likarolo tse ling tse pharaletseng ka nako e le 'ngoe, tse kang lisebelisoa tse thehiloeng ho gallium nitride li sebelisitsoe ka katleho tšimong ea ho tjhaja ka potlako. tekanyo e kgolo.Ka ho qhoma ha lits'ebetso tse ncha tse tlase, le tsoelo-pele e tsoelang pele ea theknoloji ea ho lokisa gallium nitride substrate, lisebelisoa tsa GaN li lebelletsoe ho tsoela pele ho eketseha ka bongata, 'me e tla ba e' ngoe ea mahlale a bohlokoa bakeng sa ho fokotsa litšenyehelo le katleho, nts'etsopele e tsitsitseng ea botala.
Hajoale, moloko oa boraro oa lisebelisoa tsa semiconductor e se e le karolo ea bohlokoa ea liindasteri tse ntseng li hlaha, hape e fetoha sebaka sa taolo ea leano la ho hapa moloko o latelang oa thekenoloji ea tlhahisoleseling, paballo ea matla le phokotso ea tlhahiso le thekenoloji ea ts'ireletso ea naha.Har'a tsona, gallium nitride (GaN) ke e 'ngoe ea lisebelisoa tsa semiconductor tse emelang ka ho fetisisa molokong oa boraro e le thepa e pharaletseng ea semiconductor e nang le bandgap ea 3.4eV.
Ka la 3 July, Chaena e ile ea tiisa ho romelloa ka ntle ha lintho tse amanang le gallium le germanium, e leng phetoho ea bohlokoa ea pholisi e thehiloeng ho tšobotsi ea bohlokoa ea gallium, tšepe e sa tloaelehang, e le "thollo e ncha ea indasteri ea semiconductor," le melemo ea eona e pharaletseng ea ts'ebeliso. lisebelisoa tsa semiconductor, matla a macha le likarolo tse ling.Ka lebaka la phetoho ena ea leano, pampiri ena e tla tšohla le ho sekaseka gallium nitride ho tloha likarolong tsa theknoloji ea ho itokisa le mathata, lintlha tse ncha tsa kholo nakong e tlang, le mokhoa oa tlhōlisano.
Kenyelletso e khuts'oane:
Gallium nitride ke mofuta oa thepa ea maiketsetso ea semiconductor, e leng moemeli ea tloaelehileng oa moloko oa boraro oa thepa ea semiconductor.Ha ho bapisoa le lisebelisoa tsa silicon tse tloaelehileng, gallium nitride (GaN) e na le melemo ea ho ba le lekhalo le leholo la li-band, sebaka se matla sa motlakase se senyehang, ho hanyetsa ho tlaase, ho tsamaea ha elektronike e phahameng, ho sebetsa ka mokhoa o phahameng oa phetoho, mocheso o phahameng oa mocheso le tahlehelo e tlaase.
Gallium nitride single crystal ke moloko o mocha oa thepa ea semiconductor e nang le ts'ebetso e babatsehang, e ka sebelisoang haholo puisanong, radar, lisebelisoa tsa elektronike tsa bareki, lisebelisoa tsa motlakase tsa likoloi, matla a matla, ts'ebetso ea laser ea indasteri, lisebelisoa le likarolo tse ling, kahoo nts'etsopele ea eona le tlhahiso ea bongata ke tsepamiso ea maikutlo ea linaha le liindasteri lefatšeng ka bophara.
Tšebeliso ea GaN
Seteishene sa motheo sa puisano sa 1--5G
Lisebelisoa tsa puisano tse se nang mohala ke sebaka se ka sehloohong sa ts'ebeliso ea lisebelisoa tsa gallium nitride RF, tse nkang karolo ea 50%.
2--Phepelo ea motlakase e phahameng
Karolo ea "bophahamo bo habeli" ea GaN e na le monyetla o moholo oa ho kenella lisebelisoa tsa elektroniki tse sebetsang hantle, tse ka fihlelang litlhoko tsa ho tjhaja ka potlako le maemo a ts'ireletso ea tefiso.
3--Koloi e ncha ea matla
Ho latela pono ea ts'ebeliso e sebetsang, lisebelisoa tsa morao-rao tsa semiconductor koloing ke lisebelisoa tsa silicon carbide, empa ho na le lisebelisoa tse loketseng tsa gallium nitride tse ka fetisang setifikeiti sa taolo ea koloi ea li-module tsa sesebelisoa sa matla, kapa mekhoa e meng e loketseng ea ho paka. e ntse e amoheloa ke feme eohle le baetsi ba OEM.
4--Setsi sa lintlha
Li-semiconductors tsa motlakase tsa GaN li sebelisoa haholo ho likarolo tsa phepelo ea matla a PSU litsing tsa data.
Ka kakaretso, ka ho qhoma ha lits'ebetso tse ncha tse tlase le tsoelo-pele e tsoelang pele ea theknoloji ea ho lokisetsa gallium nitride substrate, lisebelisoa tsa GaN li lebeletsoe hore li tsoele pele ho eketseha ka bongata, 'me e tla ba e' ngoe ea mekhoa ea bohlokoa ea ho fokotsa litšenyehelo le katleho le tsoelo-pele e tsitsitseng ea botala.
Nako ea poso: Jul-27-2023